Тема 5. Основы теории спроса и предложения

12 3 4 Следующая ⇒

Модуль 2. ТЕОРИЯ ЦЕНЫ И ВЫБОРА ПОТРЕБИТЕЛЯ

Сравнительные характеристики методов определения толщины тонких слоев в полупроводниковых структурах

Метод	Тип структур	Диапазон толщин	Погреш-ность, %	Спектр. диапазон, мкм	Достоинства, ограничения метода
ИК Интерферометрия	p - n⁺, p - p ⁺ n - p⁺, n - n ⁺	1 – 80 мкм	5 – 8	2 – 40	Неразрушаю-щий. ρ _слоя>0.1 Ом·см, ρ _{подложки}<0.01 Ом·см
ИК Фурье спектроскопия	p - n⁺, p - p ⁺ n - p⁺, n - n ⁺	1 – 100 мкм	1 – 7	2 – 40	Неразрушаю-щий. ρ _слоя>0.1 Ом·см, ρ _{подложки}<0.01 Ом·см
Интерферометрия в видимой области	Гетероструктуры (КНС; Si^*- диэлектрик - Si; феррит-гранаты)	0,2 – 3 мкм		0,4 – 0,7	Неразрушаю-щий
Интерферометрия в ИК- и видимой областях для контроля рельефа	Структуры со ступеньками, канавками на поверхности полупроводника, диэлектрика,	0,2 – 10 мкм	5 – 10	0,4 – 20	Неразрушаю-щий
Профилометрия для контроля рельефа	Структуры со ступеньками, канавками на поверхности полупроводника, диэлектрика, металла, фоторезиста	0.5 нм – 10 мкм		-	Практически неразрушаю-щий
Декорирование шлифа	Любые комбинации гетеро- и гомо-эпитаксиальных структур (уровни легирования должны отличаться порядок и более)	0,1 – 25 мкм		0,4 – 0,7	Разрушаю-щий
ИК-эллипсометрия	p - n+, p - p+ n - p+, n - n+	0,1 – 2 мкм	3 – 5	λ=10,6 мкм СО2-лазер	Неразрушаю-щий
Метод	Тип структур	Диапазон толщин	Погреш-ность, %	Спектр. диапазон, мкм	Достоинства, ограничения метода
Сопоставление цветов	Тонкие слои Si* на SiO2	0,3 – 0,7 мкм	2 – 7	0,4 – 0,7	Неразрушаю-щий
Сопоставление цветов	Прозрачные диэлектрические слои на полупроводниковых подложках (SiO2, Si3N4 на Si)	0,05 – 0,7 мкм	10 – 20	0,4 – 0,7	Неразрушаю-щий
Эллипсометрия в видимой области	Диэлектрические пленки	1 – 1000 нм	3 – 5	0,4 – 0,7 λ=623,8 нм He-Ne-лазер	Неразрушаю-щий
Монослои полупроводников	1 – 100 нм	0,5 – 2

(ОПТИМУМ ПОТРЕБИТЕЛЯ)

Лекция 05

Учебная цель лекции:

Студент

должен знать: чем понятия «спрос» и «предложение» отличаются от терминов «величина спроса» и «величина предложения»; как неценовые факторы воздействуют на спрос и предложение; как действуют законы спроса и предложения и как устанавливается рыночное равновесие.

уметь: строить графики спроса и предложения; определить равновесные цену и объем; объяснять, почему рыночные цены стремятся равновесию, различать понятия «спрос» и «величина спроса», «предложение» и «величина предложения»; прогнозировать изменение равновесных цены и количества благ на рынке под воздействием различных комбинаций изменения спроса и предложения.

Учебные вопросы лекции:

	Анализ спроса. Спрос: понятие, величина, закон и неценовые факторы влияния на спрос и перемещения кривой спроса D. Эффект замены и эффект дохода.
	Анализ предложения. Предложение: понятие, величина, закон и неценовые факторы, влияющие на предложение и сдвиги кривой предложения S.
	Равновесие на рынке отдельного блага. Цена и равновесие. Сдвиги равновесия.
	Рынки покупателя и продавца.
	Базовые модели рыночного равновесия: Вальраса, Маршалла и паутинообразная модель.

12 3 4 Следующая ⇒

Поделиться с друзьями:

Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 319; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!

Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет

studopediasu.com - Студопедия (2013 - 2026) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление

Генерация страницы за: 0.009 сек.