КАТЕГОРИИ:
Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)
Комплиментарная логика
|
|
|
|
Лекция 6
Интегральные схемы на полевых транзисторах по сравнению с биполярными конструктивно более просты, занимают меньшие размеры на кристалле и, следовательно, позволяют получить большую плотность упаковки (до 105 ключей/кристалл), имеют высокую помехоустойчивость и малую мощность рассеивания. В то же время, быстродействие приближается к ТТЛ. Инвертор на КМОП транзисторах работает следующим образом: при подаче на вход сигнала низкого уровня транзистор VT1 c каналом р-типа открывается, т.к. потенциал затвора относительно истока будет отрицательным и ниже порога открытия. Нижний транзистор VT2 заперт. На выходе инвертора, к которому подключены стоки обоих транзисторов буде высокий потенциал, соответствующий уровню логической единицы. При подаче на вход сигнала высокого уровня VT1 закрывается, но открывается транзистор VT2 с каналом n – типа. На выходе инвертора установится низкий уровень.
Соединяя транзисторы с каналом одного типа группами, последовательно или параллельно, можно получать многовходовые элементы И-НЕ, ИЛИ-НЕ. Если соединить параллельно транзисторы n – типа, а последовательно p – типа, получим элемент ИЛИ-НЕ, если наоборот – получим И-НЕ. При подаче на любой вход (или на оба входа) сигнала низкого уровня, соответствующий верхний транзистор (или транзисторы) откроется, на выходе будет высокий уровень, т. к. один из нижних транзисторов (или оба) бет закрыт. 
Если на оба входа подать высокий уровень, оба верхних транзистора будут закрыты, а нижние открыты – на выходе схемы будет низкий уровень.
|
|
|
|
|
Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 323; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!