Ширина обедненных областей и ширина области пространственного заряда
Область пространственного заряда (ОПЗ) образуется за счет ухода основных носителей заряда через переход во время диффузии. В результате в каждом из полупроводников вблизи перехода образуется область, обедненная носителями заряда. Ширина обедненной области определяется выражением
, ,
где – диэлектрическая проницаемость полупроводника (для GaAs ), – напряжение, приложенное к p-n -переходу.
В отсутствие внешнего напряжения обедненные области будут равны
studopediasu.com - Студопедия (2013 - 2026) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление