На подложке n+ выращен эпитаксиальный слой n и затем последовательно произведена двойная локальная диффузия (через маску SiO2).
Рис.8.16 Структуры транзисторов
02.2013 Флёров А.Н. курс “ Электроника и МПУ”Для самостоятельного изучения
ПРИЛОЖЕНИЕ 4
Классификация транзисторов и их параметры
Наиболее часто в технической литературе и справочниках транзисторы классифицируют по допустимой рассеиваемой мощности и граничной частоте.
Допустимая рассеиваемая мощность
маломощные, Pрасс < 0,3Вт
средней мощности, 0,3вт < Pрасс < 1,5Вт
мощные, Pрасс > 1,5 Вт
Граничная частота
низкочастотные, Fгр< 30 МГц
высокочастотные, 30 МГц < Fгр< 300 МГц
свехвысокочастотные, Fгр> 300 МГц
По конструктивному оформлению транзисторы бывают корпусные и бескорпусные. Бескорпусные транзисторы применяются в ИМС и могут иметь гибкие или жесткие выводы.
studopediasu.com - Студопедия (2013 - 2026) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление