КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Схемы для включения транзистора с ОЭ
Схема на рис. 3.37 может быть использована и при включении транзистора с ОЭ. Для этого ток эмиттера IЭm надо выразить через ток базы IБm. В соответствии со схемой на рис. 3.37 для тока коллектора справедливо кроме того: IЭm=IБm+IКm, тогда
где Так как
Дифференциальный коэффициент передачи тока h21Э может отличаться от статического b на десятки процентов, но технологический разброс еще больше и в последнее время между ними часто не делают различия, считая h21Э» b.
С учетом выражения (3.56) Т-образная, малосигнальная эквивалентная схема для включения с ОЭ приобретает вид (рис. 3.38). Для схемы с общем эмиттером часто используют и П-образную эквивалентную схему (рис 3.39), получаемую линеаризацией передаточной модели Эберса - Молла.
Сравнение усилительных свойств биполярного транзистора в различных схемах включения
Для сравнения усилительных каскадов воспользуемся малосигнальными физическими эквивалентными схемами при различных схемах включения транзистора (ОЭ, ОБ, ОК). При анализе будем полагать, что во всех схемах обеспечивается одинаковый режим по постоянному току. Схема ОЭ. Принципиальная схема усилительного каскада и соответствующая ей малосигнальная эквивалентная схема приведены на рис. 3.30 и 3.40 соответственно. Малосигнальная эквивалентная схема усилительного каскада (схема для переменных составляющих) получена следующим образом:
Из схемы следует, что коэффициент усиления по току равен
выходное напряжение определяется как По закону Кирхгофа для входной цепи имеем Учтем, что тогда
Входное напряжение равно
Следовательно, коэффициент усиления по напряжению равен знак “ - ” показывает, что выходное напряжение противофазно входному. Выходное сопротивление (без вывода):
Для повышения стабильности работы усилительного каскада в эмиттерную цепь часто включают резистор R э>>r э, тогда Аналогично можно проанализировать схемы с ОБ и с ОК. Для наглядности приближенные расчетные соотношения для трех схем включения транзистора сведены в таблицу 3.1. В скобках указаны типовые значения параметров для каскадов на маломощных транзисторах. Таблица 3.1
Сопоставляя полученные результаты, можно сделать выводы:
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 592; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! |