Диапазон рабочих температур биполярного транзистора определяется температурными свойствами p-n перехода. При его нагревании от комнатной температуры, составляющей 25 °С, до 65 °С сопротивление базы и закрытого коллекторного перехода уменьшается примерно от 15 до 20%. Особенно сильно нагревание полупроводника влияет на обратный ток коллектора Iкбо. Примером может служить факт, что обратный ток коллектора увеличивается в 2 раза при увеличении температуры на каждые 10 °С. Таким образом, изменение температуры кристалла влияет на характеристики транзистора и положение его рабочей точки (рис. 7.23).
Рис. 7.23. Изменение рабочей точки от изменения температуры
При увеличении температуры ток коллектора транзистора Iк увеличивается, а напряжение коллектор - эмиттер Uкэ уменьшается, что равносильно открыванию транзистора.
Делаем вывод, что каскад, выполненный по схеме включения транзистора с общим эмиттером, требует температурной стабилизации.
studopediasu.com - Студопедия (2013 - 2026) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление