КАТЕГОРИИ:
Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)
Первичные параметры транзистора
|
|
|
|
Анализировать схему, содержащую нелинейный элемент (например, транзистор), сложно. Но при определенных условиях транзистор можно заменить эквивалентной схемой, содержащей исключительно линейные элементы (сопротивления, емкости, индуктивности).
Условием замены реального транзистора эквивалентной схемой является малый уровень входного сигнала, т.к. при малых амплитудах входного сигнала можно пренебречь нелинейностью ВАХ и считать малые участки ВАХ линейными.
Эквивалентная схема составляется только для переменных составляющих токов и напряжений, поскольку полезную информацию несут только они.
Элементы, образующие эквивалентную схему транзистора, и являются его первичными параметрами.
Эквивалентных схем транзистора много, рассмотрим одну из них.
Т-образная эквивалентная схема транзистора ОБ
· 
- генератор тока (учитывает усилительные свойства транзистора). Вместо генератора тока можно использовать генератор напряжения 
, соединенный последовательно с 
:
· 
- дифференциальное сопротивление прямо смещенного эмиттерного перехода (ЭП)
=доли Ома÷единицы Ома, т.е. мало
· 
- ёмкость ЭП. Эта ёмкость диффузионная (т.к. ЭП смещен в прямом направлении). Она относительно большая (
десятки пФ), но её влиянием можно пренебречь, т.к. она шунтирована малым сопротивлением прямо смещенного эмиттерного перехода 
.
· 
- дифференциальное сопротивление обратно смещенного коллекторного перехода (КП)
- может достигать сотен кОм÷десятки МОм, т.е. велико.
· 
- ёмкость КП. Эта ёмкость барьерная (т.к. КП смещен в обратном направлении). Она мала (
единицы пФ), но пренебрегать ею нельзя. На ВЧ реактивное сопротивление этой емкости уменьшается (
), в результате чего часть выходного тока ответвляется через эту емкость и поступает на вход транзистора, не попадая в нагрузку, т.е. не участвуя в усилении. Другими словами: с помощью барьерной ёмкости на ВЧ в транзисторе осуществляется внутренняя обратная связь.
Обратная связь (ОС) – передача части мощности сигнала с выхода на вход схемы.
Таким образом, ёмкость КП на ВЧ ухудшает усилительные свойства транзистора.
· 
- сопротивление базы. Оно состоит из 2-х составляющих:
- омическое сопротивление слабо легированной области базы;
- небольшое сопротивление, обеспечивающее внутреннюю ОС в
|
|
|
|
|
Дата добавления: 2017-02-01; Просмотров: 72; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!