КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Чем различаются модели биполярного транзистора для большого и малого сигналов?
На рис. 3 приведены типичные вольтамперные характеристики транзисторов. На рис.3,а изображены характеристики биполярного транзистора при различных значениях тока управления базы. На этих характеристиках можно выделить три области: область насыщения при малых напряжениях между коллектором и эмиттером, активную область и область отсечки (или пробоя) при больших напряжениях между коллектором и эмиттеров.
В области насыщения транзистор можно рассматривать как управляемый резистивный элемент с малым значением сопротивления. Эта область характеризуется напряжением В области отсечки или пробоя характерными значениями являются напряжение На рис.3,6, приведены вольтамперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения на затворе. Отличительной особенностью полевого транзистора является то, что он управляется не током, а напряжением, подаваемым на управляющий электрод (затвор). На вольтамперных характеристиках полевого транзистора также можно выделить три области: линейную, активную и пробоя. Описание этих областей можно выполнять так же, как для биполярного транзистора, однако в активной области используют систему У - параметров четырехполюсника, что обусловлено изменением управляющего сигнала. В линейной области, которая соответствует области насыщения биполярного транзистора, полевой транзистор можно рассматривать как управляемый резистивный элемент. В области пробоя ток стока полевого транзистора резко увеличивается при почти неизменном напряжении между стоком и истоком. Характерными значениями вольтамперных характеристик полевого транзистора являются: ток
Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 993; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! |