КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Контакт метал напівпровідник
Контактні явища в напівпровідниках та металах. Фізика контактних явищ метал-н/п Що таке електронна спорідненість Білет 8 Який зв'язок CdS і ТеS. Електронна спорідненість – це енергія яка виділяються при приєднанні електрона до атома. Електрона спорідненість галогенів лежить в межах [1- 9] еВ. Енергія споріднення Cl – 3.6 eB для F -3.1 eB. В NaCl енергія внутрішнього зв’язку 5.7 еВ. Енергія Маделунга – також залежіть від параметру який називається координаційне число.
Нехай буде напівпровідник n-типу. Термодинамічна робота виходу напівпровідника - це енергія яку потрібно затратити, щоб перевести електрон з дна зони провідності у вакуум це є зовнішня робота виходу, яка дорівнює величині електронного споріднення.
Рис 1. (ф1) Якщо є метал то характерною є його термодинамічна робота виходу.
Рис 2. (ф2) метал напівпровідник
Рис 3. нехай напівпровідник є n-типу тоді термодинамічний вихід: (ф3) Поверхня металу буде заряджатися негативно, а поверхня напівпровідника буде заряджений позитивно і виникає контактна різниця потенціалів. Ця контактна різниця потенціалів буде доти, поки сформоване електричне поле не буде протидіяти переходу електронів, а це приведе до того, що рівень фермі в наслідок переходу напівпровідник метал повинні вирівнятись. (ф4)
Рис 4. в такому випадку сумарний потік (ф5)
напруженість ел поля яка виникає на відстані де (ф6) кількість електронів на одиниці поверхні це (ф7) для того що визначити товщину шару з якого виходять електрони поділити на повну концентрацію. (ф8) якщо припустити що різниця термодинамічних різниць виходу дорівнює одиниці і а концентрація носіїв заряду 10"22 для металу глибина проникнення буде при великих товщинах При цьому виникає шар збіднення при чому концентрація носіїв заряду міняється за законом (ф9) якщо (ф10) то можна бачити що енергія електронів в зоні збіднення збільшується при наближенні до границі розділу. З урахуванням контактної різниці потенціалів:
Рис 5. Оскільки величина напруженості поля, яке формується за рахунок контактної різниці потенціалів є на три порядки менше за внутрішнє кристалічне поле то це означає що ширина ЗЗ не буде мінятися.
Дата добавления: 2015-05-08; Просмотров: 1375; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! |