КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Лабораторная работа № 5 Исследование статических характеристик полевого транзистора
Контрольные вопросы Содержание отчета 4.6.1. Цель работы. 4.6.2. Схемы лабораторного макета. 4.6.3. Таблицы результатов измерений и графики ВАХ. 4.6.4. Результаты расчета следующих параметров транзистора в активной области: 4.6.5. Выводы по работе.
4.7.1. Нарисуйте структуру р - n - р транзистора и укажите полярности напряжений и направления токов на электродах транзистора при работе в активной области. 4.7.2. Тоже для транзистора типа n - p - n. 4.7.3. Поясните, какие процессы протекают в различных областях структуры в активной области работы транзистора. 4.7.4. Что такое физическая модель транзистора. Физический смысл элементов модели. 4.7.5. Запишите полученные значения 4.7.6. Что такое формализованная модель транзистора? 4.7.7. Эквивалентные схемы формализованных моделей транзистора. 4.7.8. Системы 4.7.9. Поясните принцип снятия статистических характеристик транзистора. 4.7.10. Объясните принцип определения 4.7.11. Сравните полученные значения дифференциальных параметров для двух схем включения транзисторов с ОБ и ОЭ.
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 672; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! |