КАТЕГОРИИ:
Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)
Интегрально-инжекционная логика
|
|
|
|
Структуры интегрально-инжекционной логики (И2Л структуры) широко используются в маломощных запоминающих устройствах, микропроцессорах и ИС с высокой степенью интеграции.
Простейшая схема инвертора на биполярном транзисторе приведена на рис. 1.
Логическому нулю напряжения на входе транзистора соответствует логическая единица на выходе и наоборот.
В И2Л структуре входной резистор заменяется генератором тока (транзистор Т1), поставляющим носители в базу выходного транзистора Т2. Коллекторы выходного транзистора разведены для выполнения логических функций.
Принципиальная схема инвертора (вентиля) приведена на рис. 2.
Поперечное сечение вентиля И2Л на заключительном этапе технологического процесса показано на рис. 3.
Основной логический элемент сформирован путем объединения горизонтального транзистора Т1 p-n-p типа с вертикальным транзистором n-p-n типа, который имеет несколько коллекторов, предназначенных для выполнения независимых логических операций в различных частях схемы. Коллектор транзистора Т1 служит базой транзистора Т2, а скрытый n+ слой Т2 используется как база Т1. Легко видеть, что эти конструктивные особенности совместно с ликвидацией резистора существенно повышают степень интеграции схем.
Выходной транзистор работает в инверсном режиме. При Uвх= 0 носители в базу транзистора Т2 не поступают и на его выходе наблюдается высокий уровень сигнала. В случае высокого уровня входного сигнала Uвх ~ 0.8 В ток из транзистора Т1 инжектируется в базу Т2, переводя его в состояние насыщения. В этом случае с выхода логического элемента снимается низкий уровень логического сигнала Uкэ ~ 0.1 В.
Методы
сборки и герметизации
Первая стадия монтажа кристаллов
- Соединение твердыми припоями (или эвтектикой)
- Соединение кристалла полимерным клеем
- Ультразвуковая сварка
Вторая стадия монтажа кристаллов
- Проволочное соединение
- Автоматизированное соединение на ленточном носителе
- Соединение методом перевернутого кристалла
Типы корпусов и технология их производства
- Технология тугоплавкой керамики
- Технология формованных пластмасс
Специальные вопросы герметизации
- Очистка поверхности кристалла
- Герметизация крышки корпуса
- Герметизирующее покрытие поверхности кристалла
- Защита от альфа-частиц
- Проблемы герметизации
Первая стадия монтажа кристаллов
|
|
|
|
|
Дата добавления: 2014-12-27; Просмотров: 665; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!