КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Удельный заряд конденсатора
Емкость конденсатора с диэлектриком
где ε0 – электрическая постоянная; S – площадь электродов; d - расстояние между ними.
где Е = U/d – напряженность электрического поля; D – диэлектрическая индукция (смещение); χ = ε – 1 – диэлектрическая восприимчивость диэлектрика; Р = ε0*χ*Е – поляризованность диэлектрика. Диэлектрическая проницаемость неоднородных диэлектриков. Плоский конденсатор с неоднородным диэлектриком можно рассматривать как m параллельно или последовательно соединенных конденсаторов с однородными диэлектриками, соответственно относительная диэлектрическая проницаемость неоднородного диэлектрика
где Ci - объемная концентрация i - го компонента, m - количество параллельно (последовательно) расположенных компонентов неоднородного диэлектрика. Диэлектрическую проницаемость сложных твердых диэлектриков, представляющих собой смесь химически не взаимодействующих друг с другом компонентов, при не очень большом различии значений их диэлектрических проницаемостей, можно определить на основании уравнения Лихтенеккера. В случае хаотического распределения обоих компонентов (например, в керамике) уравнение Лихтенеккера имеет вид
где εc, ε1, ε2 - относительные диэлектрические проницаемости смеси и отдельных компонентов соответственно; C1 и C2 - объемные концентрации компонентов, C1 + C2 = 1. Электропроводность диэлектриков. В общем случае ток в диэлектрике I = Iсм + Iабс + Iскв, где Iсм - ток смещения, Iабс - ток абсорбции, Iскв - ток сквозной проводимости. Кратковременный ток смещения обусловлен быстрыми видами поляризации (электронной, ионной). Ток абсорбции обусловлен активными составляющими токов, связанных с замедленными (релаксационными) механизмами поляризации в полярных и неоднородных диэлектриках. Время протекания тока абсорбции зависит от типа диэлектрика и механизма поляризации. Во многих диэлектриках, используемых в качестве электрической изоляции, ток абсорбции устанавливается за время меньше 1 минуты. При постоянном напряжении после установления тока абсорбции через диэлектрик будет протекать сквознойток. Для твердых диэлектриков наиболее характерна ионная электропроводность. Для многих ионных кристаллов удельная электропроводность экспоненциально зависит от температуры
где γ0 – удельная электрическая проводимость при начальной температуре; ΔW - энергия активации перемещения ионов, Дж; k - постоянная Больцмана; T - температура, К. В низкотемпературной области проводимость в основном определяется примесными ионами, в высокотемпературной области - собственными ионами. Поверхностное сопротивление твердого диэлектрика зависит от природы диэлектрика, температуры, влажности, приложенного напряжения и характеризуется удельным поверхностным сопротивлением ρs, Ом. Поверхностное сопротивление диэлектрика
где a - расстояние между электродами, м; b - ширина электрода, м. Полная электрическая проводимость твердого диэлектрика определяется суммированием объемной и поверхностной проводимостей. Диэлектрические потери - часть энергии электрического поля, которая рассеивается в диэлектрике в виде тепла. Потери энергии в диэлектрике обусловлены протеканием сквозного (объемного и поверхностного) тока и процессами установления поляризации при изменении напряженности электрического поля. Потери мощности на нагрев диэлектрика в постоянном электрическом поле
где U - напряжение, В; R - сопротивление диэлектрика, Ом. Потери мощности в единице объема диэлектрика называются удельными электрическими потерями и определяются по формуле
где E - напряженность электрического поля, В/м; ρ - удельное электрическое сопротивление, Ом*м. В переменном электрическом поле, кроме потерь на электропроводность, в диэлектриках возникают релаксационные, ионизационные, резонансные потери. Для количественной оценки потерь энергии используется тангенс угла диэлектрических потерь tgδ. В конденсаторе с идеальным диэлектриком, то есть диэлектриком без потерь, вектор тока Ic опережает вектор напряжения U на 90°. В реальных диэлектриках угол сдвига фаз φ между током и напряжением меньше 90° за счет потерь, обусловленных протеканием активного тока Iа (рисунок 14).
Рисунок 14 Угол δ, дополняющий угол сдвига фаз между током и напряжением до 90°, называется углом диэлектрических потерь. Диэлектрические потери (мощность, рассеиваемая в диэлектрике) где ω = 2πf - угловая частота, рад/с; f- частота, Гц. Удельные диэлектрические потери определяются выражением
где γа = (ε*f*tgδ)/(1,8*1010) - активная составляющая удельной проводимости диэлектрика, 1/(Oм*м). Частотная зависимость потерь мощности в диэлектрике определяется характером зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь tgδ и относительной диэлектрической проницаемости ε от частоты. Коэффициент диэлектрических потерь ε' = ε*tgδ. Пробой диэлектриков. Минимальное напряжение Uпр, приводящее к образованию в диэлектрике электропроводящего канала, называется пробивным напряжением. Электрическая прочность, то есть способность диэлектрика сохранять высокое удельное сопротивление, характеризуется напряженностью электрического поля при пробое изоляции в однородном электрическом поле
где Uпр - пробивное напряжение, В; d - толщина диэлектрика, м.
Дата добавления: 2014-12-07; Просмотров: 1068; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! |