КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Нелинейные резистивные элементы
Ярким и широко используемым в электротехнике и электронике нелинейным резистивным элементом является полупроводниковый диод, изображение которого показано на рис.1.20, а вольтамперная характеристика на рис.1.21.
Вид вольтамперной характеристики обусловлен свойствами р-n перехода (Л.1). Основное свойство p-n перехода заключается в его односторонней проводимости. Другими словами, сопротивление протеканию тока в одном и в другом направлении отличается в сотни-тысячи раз. Полупроводник, одним словом. Направления тока и напряжения диода, указанные на рис.1.20, получили название прямого направления, а в другую сторону - обратного. Так как характеристика нелинейная (отличается от прямой, проходящей через начало координат), то каждой точке на характеристике диода соответствует свое значение статического сопротивления, которое характеризует поведение диода при протекании по нему постоянного тока. Так, в т.1 Рассмотрим расчет одной очень важной схемы, показанной на рис.1.22.
Для данной схемы можно составить только одно уравнение по 2-ому закону Кирхгофа:
Это нелинейное алгебраическое уравнение, что существенно затрудняет расчет схемы. По этой причине, интерес представляет использование графического метода (если в схеме один диод) или компьютерное моделирование. Рассмотрим графический метод, который широко используется в электротехнике и электронике. Преобразуем уравнение (1.6):
Построим 1. Точка в режиме короткого замыкания диода: 2. Точка в режиме холостого хода
Соответствующие построения показаны на рис.1.23 (прямая «А»)
Значения токов и напряжений в схеме будут определяться положением точки пересечения прямой «А» и вольтамперной характеристики диода (т. РТ). Если эдс остается постоянной, а меняется величина резистора, то меняется наклон прямой. Если увеличить сопротивление, то уменьшится величина тока и значения тока и напряжений будут определяться пересечением ВАх диода и прямой «А1». Если уменьшить величину эдс, то прямая «А» параллельно сама себе переместиться и значения тока и напряжений будут определяться пересечением ВАх диода и прямой «А2». Если изменить полярность эдс, то значения тока и напряжений будут определяться пересечением ВАх диода и прямой «А3». Графический метод нагляден, но имеет существенные ограничения: 1) он недостаточно точен 2) но, что более плохо, практически не работает, если в схеме несколько диодов, соединенных более сложным образом. Выход из такой ситуации нашли, используя аппроксимацию (замену) реальной ВАх диода отрезками прямых. Принцип простой. Чем больше коротких прямых, тем точнее расчет. На рис.1.24 показана исходная характеристика, а на рис.1.25 один из возможных вариантов аппроксимации. Следует иметь ввиду, что чем больше прямых, тем больше объем вычислительной работы.
Поэтому при приближенных расчетах применяют более грубые аппроксимации, две из которых показаны на рис.1.26 и 1.27. Характеристику на рис.1.26 используют при относительно небольших напряжениях в схеме. Вентильную характеристику используют при анализе схем, применяемых для выпрямления переменного тока в постоянный, при анализе сложных процессов в различных схемах функциональных преобразователей, умножителей напряжений, мультивибраторах и.т.д., а также при качественном анализе (так называемом «чтении» схем). Обе характеристики пренебрегают обратными токами через диод (участок «Б»).
Характеристики по рис.1.26 и рис.1.27 позволяют создать простые расчетные модели диода, показанные там же. Резистор Исходя из вида вентильной характеристики диода, можно считать, что если рабочая точка находится на участке При анализе рекомендуется действовать в следующей последовательности:
1. Классифицировать характер схемы и режим ее работы. 2. На первом шаге расчета все диоды заменяем короткозамкнутыми отрезками. 3. Рассчитать (или качественно проанализировать) полученную схему и определить направления токов через диоды. Если направление тока, полученное в результате анализа, совпадает с прямым током диода, то оставляем на месте короткое замыкание, если нет –заменяем диод участком с разрывом. 4. На втором шаге рассчитываем (анализируем) полученную схему и находим фактические токи и напряжения. 5. Если полярность источников может меняться, то повторяем п.п.2,3,4. Пример 1.4. Получить зависимость выходного напряжения
Данная схема, содержащая линейные и нелинейные резистивные элементы, может выполнять роль функционального преобразователя, т.е устройства, формирующего выходной сигнал (напряжение), связанный с входным сигналом (напряжением) функциональной зависимостью, вид которой и следует получить. Анализ схемы сделаем в соответствии с предложенной выше последовательностью расчета: 1. Классификация схемы - это нелинейная резистивная цепь. Так как отсутствуют реактивные элементы (индуктивности и емкости), то будем считать, что режим в цепи устанавливается мгновенно, после подключения источника с напряжением 2. Выбираем направления токов, заменяем диод «закороткой» и составляем расчетную модель: (рис.1.29):
Используя 2-ой закон Кирхгофа, получаем, что Меняем полярность приложенного напряжения (рис.1.30):
Запишем уравнение по 2-му закону Кирхгофа:
Используя 2-ой закон Кирхгофа, получаем: По результатам анализа строим функциональную зависимость:
Следует заметить, что достаточно часто применяется еще одна аппроксимация вольтамперной характеристики диода (рис.1.33). Там же показана соответствующая схема замещения диода.
Пример 1.5. Определить показание вольтметра в схеме по рис.1.34. Применить схему замещения диода по рис.1.33. Принять Е0=0,7 В.
Прежде чем выполнить расчет, проведем качественный анализ показания вольтметра. Так как в схеме одна ветвь (сопротивление вольтметра принимаем равным бесконечности), то возможен один ток, который должен протекать через оба диода. Если принять потенциал точки 0 равным нулю, то потенциал точки 1 будет равным 3 В, а потенциал точки 4 равен -3 В. Следует ожидать, что потенциалы точек 2 и 3, будут больше чем потенциал точки 4. Следовательно, напряжение Теперь проведем достаточно строгий расчет. 1. Проставим точки в исходной схеме 2.
3.
Запишем уравнение по 2-му закону Кирхгофа для внешнего контура:
На рис.1.38 показана схема функционального преобразователя. При анализе использовать схему замещения диода по рис.1.33.Принять Е0=0,7 В. Готовы ли Вы ответить на следующие вопросы:
.
На отмеченные вопросы, ответы приведены ниже
Кроме рассмотренного выше полупроводникового диода, в электронике широко используются и другие нелинейные резистивные элементы, часть которых показана в таб.1.2. Таблица1.1
Дата добавления: 2014-11-28; Просмотров: 600; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! |