КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Лекция №7
WHERE not exists WHERE not exists (select * from Экзамен AS d where c.№зк = d.№зк and c.Название = d.Предмет);
SELECT ФИО FROM Список AS n (select * from минус AS m where n.№зк = m.№зк);
Сравним данный запрос с определением операции деления. Результат операции деления R / S является набор кортежей отношения R, определенных на множестве атрибутов C, которое соответствует комбинации всех кортежей отношения S. Операции представляется следующим образом: T1 ¬ p C (R) T2 ¬ p C ((S ´ T1) – R) T3 ¬ T1 – T2 Исходные таблицы:
Результат:
Метод поликристаллов. Одним из наиболее распространенных прикладных методов изучения строения вещества является исследование объектов состоящих из множества мелких кристалликов (поликристалл), хаотически ориентированных по отношению к первичному пучку монохроматического излучения.
1. Обратная решетка поликристалла. Будем поворачивать ОР одного из кристалликов, осуществляя все возможные ориентации кристалла в пространстве. Концы векторов ОР
и меняются дискретно при изменении целочисленных индексов Такая последовательность концентрических сфер в обратном пространстве является преобразованием Фурье поликристалла с беспорядочной ориентацией кристалликов.
2. Основы рентгеновской дифрактометрии. В настоящее время интенсивность и угловое положение дифракционных максимумов измеряют с помощью т.н. рентгеновских дифрактометров. Применение дифрактометров не только существенно повышает точность измерения углов и интенсивности и сокращает время эксперимента, но и позволяет полностью автоматизировать регистрацию дифракционной картины и обработку результатов измерений. Оптическая схема дифрактометра для исследования поликристаллов приведена на рисунке 7.1.
Для повышения светосилы - рассеянной интенсивности при ограниченной мощности источника рентгеновского излучения используют фокусирующую схему, показанную на рисунке 7.1а, что позволяет увеличить отражающую площадь и объем без существенного уширения дифракционных максимумов, т.е. без существенной потери точности измерения углов дифракции. В этом случае источник излучения F (фокус рентгеновской трубки) и щель на счетчике находятся на окружности радиусом Статистические ошибки счета квантов - интенсивности рассеянного излучения - определяются распределением Пуассона для случайно следующих во времени квантов (полагается, что интенсивность первичного пучка постоянна). В этом случае абсолютная ошибка измерения числа квантов за конечное время счета Т равно В современных дифрактометрах счетчики квантов позволяют без потерь на мертвое время счетчика регистрировать до 105 имп./сек. Несмотря на фокусирующую в плоскости дифракции схему дифракционные пики искажаются из-за разных факторов (рисунок 7.3). Светосила прибора (интенсивность пиков со щелями Соллера) пропорциональна яркости фокусного пятна рентгеновской трубки i, его высоте
где Из формулы видно, что уменьшение аберраций профиля за счет сужения щелей вызывает снижение светосилы. Поэтому минимальный эффект от аберраций при сохранении светосилы получается при следующих условиях:
Эти соотношения следует учитывать при выборе условий получения дифрактограмм и измерения интенсивностей дифракционных максимумов и их положений. Дифрактограмма представляет картину зависимости интенсивности рассеянного образцом излучения от угла поворота счетчика - Съемку дифрактограмм проводят следующим образом. Положение вертикальной плоскости образца расположенной на оси гониометра параллельно оси первичного пучка рентгеновских лучей считают начальным. При этом пучок падает в щель счетчика расположенного так что угол рассеяния равен нулю. 3. Расчет и индицирование дифрактограмм поликристаллов. Угловое положение дифракционных
Установление индексов всех отражений на дифрактограмме поликристалла позволяет рассчитать размеры и форму элементарной ячейки и установить закономерности погасаний. Будем считать, что при монохроматизации пучка на дифрактограмме присутствуют только отражения
где общий член для всех отражений Для индицирования рассмотрим следующий алгоритм. Составим матрицу:
По совпадению общего элемента в строках матрицы находим А с учетом ошибки определения Затем учитывая, что
Очевидно, что среди отражений типа Если не удается проиндицировать дифрактограмму в рамках тетрагональной сингонии можно попробовать индицировать как для кристаллов гексагональной сингонии. В этом случае:
отличие в индицировании в этом случае в том, что при составлении программы вычислений значения H1 и H2 могут быть как положительными, так и отрицательными. Далее процедура индицирования аналогична предыдущей. Если исследуемое вещество имеет решетку с тригональной симметрией, а ее базисом служат гексагональные оси:
где
Ромбоэдрическая решетка примитивная. Отсюда h1 - h2 + h3 должны быть числами делящимися на три. В результате целый рад отражений характерных для гексагональной решетки будет отсутствовать, т.е. разрешенными отражениями будут те для которых H1 - H2 + H3 = 3n (n=1,2,3….) При другой взаимной установке осей ромбоэдрической и гексагональной решеток должно удовлетворяться условие - H1 + H2 + H3 = 3n При этом период ромбоэдрической решетки связан с периодами гексагональной следующим уравнением:
Перейдем теперь к индицированию дифрактограмм кристаллов ромбической сингонии (метод Хесса-Линсона). Для ромбической сингонии:
где
Очевидно, что Следовательно:
Отсюда можно полагать, что
Составим таблицу:
Метод основан на предположении среди Из найденных часто встречающихся Теперь перейдем к индицированию дифрактограмм кристаллов моноклинных и триклинных (метод Ито) сингоний. Рассмотрим индицирование дифрактограммы кристаллов триклинной сингонии. В этом случае необходимо найти 6 параметров элементарной ячейки: Запишем выражение для вектора ОР H.
Так как погасаний нет то на дифрактограмме присутствуют отражения, отвечающие векторам ОР для ( для ( Нанесем на линейную шкалу значения
Аналогично находят остальные углы
Найденные таким образом параметры используют для индицирования всех отражений. Если при этом не удается проиндицировать все отражения или векторы компланарны (V=0), то нужно повторить попытку с другими
Если скалярные произведения если
Тогда Пример: В таблице 12 номер четырехсторонника №16 (моноклинная решетка)
В таблице 13 Приложения там же приводятся формулы позволяющие по скалярам
Более подробно приведение Делоне см. [Азаров, Бургер].
Дата добавления: 2014-01-11; Просмотров: 535; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! |