Принцип работы ППД с p-n переходом

d₀ = 10^-9·r (U + U_к)

r – удельное сопротивление полупроводника, Ом·см;

U – напряжение источника питания, В;

U_к – контактная разность потенциалов (напряжение, создаваемое полем p-n-перехода), В.

Величина U_к обычно равна 0,5…0,7 В.

Здесь С_д – емкость перехода, пФ;

S – площадь контакта областей с p- и n-проводимостью, см²;

d₀ – толщина слоя p-n-перехода, см;

e - диэлектрическая проницаемость полупроводника (безразмерная величина; для кремния равна 12).

Дата добавления: 2014-01-15; Просмотров: 336; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!