КАТЕГОРИИ:
Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)
Характеристики некоторых полупроводников, применяемых для полупроводниковых детекторов
|
|
|
|
Зонная теория строения полупроводников в применении к ППД
Савченко гл4
Принцип работы ППД с p-n переходом.
Принцип работы ППД проводящего типа.
Зонная теория строения полупроводников в применении к ППД
Л9 ОД Полупроводниковые детекторы излучения.
---------------------------------------------------------------------------
Рис. 1 Зонная структура кристалла
| Вещество | ρ г/см3 | ω- эВ | μ+ (см/с)/(В/см) | μ- (см/с)/(В/см) | τ+ с | τ- с |
| Si (300K) | 2,33 | 3,61 | 2∙10-5 | 2∙10-5 | ||
| Ge(77К) | 5,33 | 2,98 | 3,6·104 | 4,5·104 | 2∙10-5 | 2∙10-5 |
| CdTe | 6,06 | 4,43 | 10-6 | 2∙10-7 | ||
| Воздух | 1,29∙10-3 | - | - |
|
|
|
|
Дата добавления: 2014-01-15; Просмотров: 352; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!